正规配资平台推荐 台积电：3nm是最终、也是最优异的FinFET技术

N3已获约100份NTO正规配资平台推荐

预计成为高产量、长期运行的制程节点

11 月 20 日，2025 集成电路发展论坛 (成渝) 暨三十一届集成电路设计业展览会（ICCAD - Expo 2025）在成都召开，此次展会汇聚了众多行业企业与精英，为集成电路产业链搭建了交流合作平台。台积电（中国）总经理罗镇球发表主旨演讲。

台积电 3nm 相关工艺进展

台积电（中国）总经理罗镇球指出 3nm 是最终且最优异的 FinFET 技术。N3E 已实现旗舰移动及 HPC/AI 产品量产，N3P 于 2024 年第四季度按计划投产以接替 N3E；N3 系列还有 N3X（面向客户端 CPU）、N3A（面向汽车领域）、N3C（面向价值级产品）等多种变体。

截至 2025 年 9 月，N3 系列已获约 100 份 NTO，预计会成为高产量、长期运行的制程节点。

产业展望与台积电技术承诺

罗镇球认为 2025 年 AI 正深刻改变行业，且将推动半导体产业持续成长，预计 2030 年半导体市场规模将突破 1 万亿美元。

台积电承诺提供三类最先进技术：一是前述适配不同产品需求的 N3 系列先进工艺；二是先进封装技术，其 SoIC 技术可支持 6μm bond pitch 的异质芯片堆叠；三是硅光子技术，相较于铜缆，该技术的数据传输延时仅为前者的 1/20，功耗降低超 10 倍。

（资料图）

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